三星上季获利低于预期 股东回馈细节延至明年1月底公布

三星电子说，记忆体晶片供不应求将持续到2028年，宣布今年资本支出将大增六成至630亿美元，但强调即便扩大投资，新厂建设成本及设备交期拉长仍将限制产能。三星股东回馈细节延至明年1月底公布，拖累股价跌约4%，未能安抚投资人对这波荣景能带来多少股东回报的疑虑。

eToro分析师吉伯特（Josh Gilbert）说，让市场等到1月才看到完整回馈计划，让市场原本期待的利多落空。另有分析师指出，延后公布回馈细节令人失望，可能促使交易者在未来几个月将资金转向SK海力士或美光。

三星上季整体营业利益增至去年同期的近九倍，达107.4兆韩元，其中半导体部门营业利益达106.5兆韩元（利润率72.4%），但未能达标，仍低于分析师平均预估的108.5兆韩元。

三星认为，AI需求强劲之下，记忆体供不应求的情势可能延续至2028年，但即便明年拉高资本支出，新厂建置成本上升、设备交期拉长，仍会压缩产能开出的速度。此外，第七代高频宽记忆体（HBM）HBM4E和下一代HBM5的晶粒尺寸扩大、以及制程层数增加，减少了每片晶圆的产出，都是扩增供应的限制因素。

记忆体供应趋紧的情势，也反映在三星的高频宽记忆体（HBM）业务上。尽管出货量加速成长，市场需求依然强劲。三星表示，上季HBM4营收季增三倍，约占HBM总收入的六成。

展望未来，三星表示，2027年规划的HBM供应几乎已全数销售一空，且已按照目标价格与客户谈妥。大客户仍持续要求三星扩大供货。

三星电子预期，本季AI驱动的DRAM需求，将主要是「中央处理器（CPU）和绘图处理器（GPU）平台相关的产品」，包括辉达（NVIDIA）殷切需要高频宽记忆体（HBM）HBM4的Rubin绘图晶片，还有Vera CPU。

在NAND快闪记忆体部分，三星表示，与「个人AI代理服务扩大的相关」需求，带动其固态硬碟储存需求「暴增」。

三星说，已和十家大客户签署长期供应协议（LTA），并正与其他十家洽谈中，因为更多客户都寻求稳定的长期记忆体供应，涵盖超大规模云端业者（hyperscaler）、伺服器制造商，以及行动、汽车和网路等产业。

三星透露，若以目前合约协商步调判断，2030年之前的产能，会有60%-70%被长期供应协议包下的可能性愈来愈高。