全球记忆体 还要短缺三年 大陆长江存储员工透露公司调高晶片价格

中国大陆NAND制造商长江存储（YMTC）一名员工透露，该公司预期全球记忆体供应短缺至少还将持续三年。另有报导指出，从全球三大记忆体制造商的新产能上线时程来看，2028年将是扩产的重要时点，但新产能是逐步提升，供应吃紧不会立即缓解。

长江存储一名不具名员工在美国线上媒体《连线中国》（The Wire China）的报导中表示，该公司已调高晶片价格，并将产能转向利润率较高的产品。

不过，这名员工原本的说法并非长江存储公开发布的正式展望。倘若记忆体短缺果真再持续三年，供应吃紧情况恐延续至2029年底左右。

美光（Micron）执行长梅罗塔日前也表示，2027年与2028年的记忆体供应都将更为吃紧。该说法显示，记忆体供应即便到了2028年也不见得能获得缓解，使产业新增产能开出的时程，日益成为焦点。

以美光为例，Schulz Research指出，该公司虽有一批新设施将于2027年启用，但之后将出现一段扩产空窗期，下一批主要新增产能多数要到2028年下半年才陆续开出，且产量达到一定规模仍需时间。

根据公司揭露资料，美光计划在2027年至2030年间，让七座主要记忆体设施投入营运，数量居全球三大记忆体业者之冠。

美光第一波新设施将于2027年陆续投入营运，包含年初启用的新加坡HBM先进封装厂，以及年中左右投产的爱达荷州ID1 DRAM晶圆厂和铜锣DRAM晶圆厂。

不过，美光下一批新增产能要到2028年下半年才会陆续上线，包括新加坡NAND晶圆厂、爱达荷州的ID2厂房，以及日本的DRAM扩产计划。专为极紫外光（EUV）微影技术打造的桃园Fab 11E晶圆厂，也预计在2028年投产，使2028年成为美光扩产的重要时点。

南韩SK海力士与三星电子目前则正推动在南韩新建多达17座前段制程记忆体晶圆厂，但下一波新增产能，多半也要到2028年起才会陆续开出。